跟着高职能盘算推算算力密度的不停攀升，数据中央的电源架构正加快向800V直流（或±400V）HVDC高压编制演进。业内一般以为，800V架构可以明显消重供配电汇集中的能量损耗，提拔集体能效，并为兆瓦级机柜的范畴化安排供应技能撑持。

　　正在这一趋向下，长电科技600584）依赖众年正在功率半导体封测界限的深耕与技能积聚，已率先告竣从分立器件到高集成度模块的全链道封测治理计划，为电源职能、配电效能、散热本事以及体例本钱和尺寸供应周全优化，以知足不停伸长的功率需求，更好地承载他日高职能盘算推算界限的发扬需求。

　　正在低级电源转换单位（PSU）合头，长电科技既能供应基于TO263-7L、TOLL、TOLT等优秀大功率分立封装，又能供应业内领先的塑封功率模块，兼容征求氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半导体质料功率器件。分立器件和塑封模块都已平稳大范畴量产。面临800V直流架构，长电科技已提前告竣技能结构与量产验证。

　　中心总线V低压输出之间的重点桥梁，其高功率密度与极低PDN损耗的职能条件，对封装技能提出了极高寻事。长电科技正在此界限可以供应双面散热的PDFN封装，并针对氮化镓MOSFET与硅基MOSFET均供应了成熟的封测计划。公司竣工了众层高密度体例级封装（SiP），已正在一流任职器板卡项目中批量交付。

　　正在负载点电源（PoL）合头，长电科技同样攻陷上风位子。公司面向DrMOS、众相统制器等产物供应成熟的QFN、新型LGA高度集成封装计划。长电科技依赖自助研发的众层SiP工艺，竣工了两相至八相众道输出的小型化电源约束模块，单相最高电流可达60A以上。同时，团队已告竣新一代高集成度模块的研发，并正在SiP互连牢靠性测试中博得优异结果。

　　贯穿PSU、IBC与PoL三大子体例，面临800V大压差的板级运用需求，长电科技正在封装工艺上竣工了“分立与集成并重、单片与模块并行”的技能形式，并正在量产节律上同步跟进墟市需求。与此同时，通过与众家质料、配置以及体例集成商的深度合营，长电科技正在财富链上下逛间筑树了坚实的协同汇集，为客户供应征求热仿真、牢靠性测试、职能优化正在内的全流程增值任职。

　　跟着800V直流供电计划正在环球算力平台中的范畴化运用，长电科技将一直阐明正在封测界限的领先上风，不停优化高压散热封装、高密度SiP以及模块级牢靠性验证，为新一代数据中央电源界限迈向更高水准发扬带来更始空间。