金属氧化物半导体 场效应晶体管

更新时间:2025-08-07 18:20 类型:新闻资讯 来源:网络整理

  

金属氧化物半导体 场效应晶体管

  一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级办理职员保障半年度陈述实质真实实性、确实性、完备性,不存正在作假记录、误导性陈述或强大脱漏,并承受局部和连带的法令负担。

  公司已正在本陈述中详尽阐明公司正在筹备历程中能够面对的危险,敬请查阅本陈述第三节“办理层磋议与判辨”中“四、危险身分”闭系的实质。

  五、 公司掌管人赵奇、主管管帐事务掌管人王韦及管帐机构掌管人(管帐主管职员)张毅声明:保障半年度陈述中财政陈述真实实、确实、完备。

  本陈述中涉及的公司另日发达安插、发达战术、筹备安插等前瞻性描写,不组成公司对投资者的骨子性同意,敬请投资者注视投资危险。

  十一、 是否存正在折半以上董事无法保障公司所披露半年度陈述真实实性、确实性和完备性 否

  金融资产投资公司(Asset Investment Company),为中农工修交五大 银行设立的全资控股的金融资产投资公司

  资产办理公司(Asset Management Company),要紧席卷中邦东方资产 办理公司、中邦信达资产办理公司、中邦华融资产办理公司、中邦长 城资产办理公司

  息税折旧摊销前利润,打算公式为:息税折旧摊销前利润=利润总额+ 财政用度息金支付+折旧+摊销

  常温下导电本能介于导体与绝缘体之间的质料。常睹的半导体质料有 硅、硒、锗等

  使用于电力设置的电能转换和电途管制的器件,是分立器件的要紧组 成部门,席卷二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET等

  绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor),是由 BJT(双 极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型电压驱 动式功率半导体器件

  Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体 场效应晶体管,是一种能够渊博利用正在模仿电途与数字电途的场效应 晶体管

  缔制半导体的衬底(也叫基片)。因为是晶体质料,其形势为圆形,所 以称为晶圆。按其直径要紧分为 4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12 英寸等规格

  将出产加工后的晶圆举办切割、焊线塑封,使电途与外部器件实行连 接,并为集成电途供给刻板维持,使其免受物理、化学等境遇身分损 伤的工艺

  Radio Frequency,是一种高频换取变更电磁波,频率局限从 300kHz~ 300GHz之间

  高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种新型功率器件,正在 平面笔直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管的基本上,引入电荷 平均组织

  执掌贯串性模仿信号的集成电途芯片。电学上的模仿信号是指用电参 数,如电流和电压,来模仿其他自然物理量而造成的贯串性的电信号

  一种第三代半导体质料,具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁 移速度较高、热导率极上等本质

  High Voltage Integrated Circuit,高压集成电途

  一种单片集成工艺技能。这种技能可以正在统一芯片上制制双极性晶体 管 Bipolar、CMOS和 DMOS器件,所以被称为 BCD工艺

  Silicon-On-Insulator,简称 SOI,即绝缘衬底上的硅,该技能是正在顶层 硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层

  编制级芯片(System on Chip,SoC),指正在一颗芯片内部集成了功用 分别的子模块,组合成实用于标的使用场景的一整套编制。编制级芯 片往往集成众种分别的组件

  Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser指笔直腔面发射激光芯片。此类 芯片能够将激光笔直发射而出,一方面简化出产工艺流程,另一方面 扩展了下逛规模的使用

  智能功率模块,由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电途以及急迅 维持电途组成

  特地解说:本陈述若映现总数与各分项数值之和尾数不符的情形,均为四舍五入来因变成。

  归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非每每性损益的净利润转折的要紧来因:陈述期内,公司通过继续拓展市集、踊跃拓荒使用规模,有用策动了出售范围的增加;同时,公司踊跃执行供应链管控与精益出产办理等降本增效程序,使合座红利才干取得明显晋升。

  筹备运动发作的现金流量净额转折的要紧来因:要紧系出售范围增加,客户回款较上年同期增添。

  对公司将《公然辟行证券的公司讯息披露阐明性布告第 1号——非每每性损益》未枚举的项目认定为非每每性损益项目且金额强大的,以及将《公然辟行证券的公司讯息披露阐明性布告第 1号——非每每性损益》中枚举的非每每性损益项目界定为每每性损益的项目,应解说来因 □实用 √不实用

  九、 存正在股权胀励、员工持股安插的公司可拔取披露扣除股份支出影响后的净利润 √实用 □不实用

  得益于新能源汽车普及、智能驾驶分泌、数据核心与AI算力需求伸长、新能源行业回暖等众重身分的配合激动,环球半导体行业正在经过周期性调治后大白苏醒。新能源汽车、人工智能(AI)、消费电子、得意储等细分规模对功率器件、模仿IC等产物的需求仍旧较高伸长。凭据WSTS预测,2025年环球半导体市集范围估计到达7,009亿美元,伸长11.2%。

  中邦动作环球最大的汽车、新能源及消费电子市集,其对半导体产物的需求正跟着汽车电动化和智能化、人工智能财富等新兴规模的急迅发达而连接伸长。工信部数据显示,2025年1-5月中邦集成电途产量1,935亿块,同比伸长6.8%,此中出口集成电途1,359亿个,同比伸长19.5%。与此同时,环球经济庞大时事延续,为邦内半导体财富供给了发达机会。

  2025年上半年,中邦汽车行业受战略拉动需求有所晋升,新能源车市集延续伸长态势。凭据能源汽车销量达560.8万辆,同比伸长44%。乘用车方面,据统计,2025年1-5月中邦乘用车零售销量881.7万辆,同比伸长9.2%,此中新能源乘用车零售销量435.6万辆,同比伸长34.2%,新能源乘用车分泌率达49.4%。与此同时,跟着智能驾驶数据资源积聚,算力、大模子等AI技能的迭代升级,智能驾驶希望从量变到质变,智能化成为暂时车企的重心发力点。

  功率半导体动作汽车电子的焦点,是新能源汽车中本钱仅次于电池的第二大焦点零部件。新能源汽车市集的伸长和智能化技能的急迅发达,将为功率半导体、模仿IC、传感器等半导体带来广博增量机会。

  暂时环球智高手机、PC、家电行业延续需求回暖趋向。据 Canalys 数据,正在 3C 电子规模,2025年一季度环球智高手机销量约为3.05亿台,同比伸长5.4%,环球PC出货量6,270万台,同比伸长9.4%。中邦手机市集2025年一季度出货量约为0.65亿台,同比伸长1.2%,中邦PC出货量达890万台,同比伸长12%;受益于邦补战略, 2025年上半年家电规模行业伸长较好,2025年1-4月,中邦度用电器和声音用具类社会零售总额伸长23.9%。与此同时,AI端侧使用正正在加快,希望给手机/PC、可穿着等硬件产物带来立异和新的机会,2025 年消费电子行业希望迎来上行周期。

  终端产物的升级换代或将策动消费电子规模MEMS传感器芯片、功率器件及模仿IC等的合座伸长,同时AI手机及AIPC搭载大模子带来大宗打算、高能耗需求,希望策动电源办理类芯片造成新场景下的增量需求。

  2025年上半年,得意储行业正在战略指引与市集需求双轮驱动下,行业一直伸长。邦度能源局协同闭系部委于陈述期内茂密揭晓《漫衍式光伏发电开辟修筑办理主意》《新型储能缔制业高质料发达活跃计划》等众项新能源规模战略文献,激动新能源财富从范围扩张阶段向高质料发达阶段转型,为新能源财富迈向高质料提速发达新阶段供给有力支柱。风电规模,2025年1-5月,中邦风电装机 5.7 亿千瓦,同比伸长 23.1%,海优势电进入修筑大年;光伏规模,漫衍式光伏新政激动光伏“抢装”,2025年1-5月中邦太阳能发电装机容量10.8亿千瓦,同比伸长56.9%;储能规模,据CESA统计,2025年上半年中邦新型储能新增装机达51.2GWh,同比伸长46%;中邦企业同步加疾邦际化步骤, 2025年上半年获取海外储能订单/互助范围冲破160GWh,同比伸长220%。

  4、AI基修加快策动功率及模仿芯片需求,人形呆板人掀开半导体永久伸长空间 AI数据核心规模,大模子及AI使用的继续呈现和迭代,使得环球算力需求涌现伸长态势,数据核心修筑范围连接增加,任职器数目增添。据TrendForce预估,2025年环球AI任职器出货量约246万台,同比伸长24.3%。AI算力的扩张希望连接激动高功率、高结果和高安闲性的AI任职器电源需求伸长,为上逛模仿及数模同化芯片财富带来了新的市集机会。

  人形呆板人规模,2025年上半年,中邦人形呆板人行业正在贸易落地层面实行里程碑式冲破,正在物流、工业等众个焦点场景渐渐实行范围化交付。据中邦电子讯息财富发达研商院估计,至2026年,人形呆板人财富范围将冲破200亿元。人形呆板人贸易拐点的邻近,为传感器、功率半导体及模仿 IC 等上逛焦点器件注入强劲伸长动能。

  正在晶圆代工方面:功率器件规模,公司是中邦最大的车规级IGBT出产基地之一,同时公司正在SiC MOSFET出货量上稳居亚洲前线,是邦内财富中率先冲破主驱用SiC MOSFET产物的头部企业;模仿IC规模,公司聚焦模仿IC连接开辟邦内独有、稀缺的高压BCD平台,是邦内正在该规模结构最完备的企业之一,公司的BCD工艺技能研发已到达邦际领先水准,且众个新平台已实行范围量产;MEMS规模,公司是邦内范围最大、技能最优秀的MEMS晶圆代工场。据Chip Insights数据,公司已迈入晶圆代工“第一梯队”,跻身环球专属晶圆代工榜单前十,中邦大陆第四。

  模组封装方面:公司的功率模块出货量位居中邦市集前线。凭据盖世汽车研商院揭晓的2024年功率器件(驱动)供应商装机量数据,公司正在邦内新能源乘用车终端销量排行榜位列第三。目前公司SiC MOSFET芯片及模组已完全遮盖650-3300V碳化硅工艺平台,产物闭头目标均处于邦内领先水准。

  公司产物要紧席卷使用于车载、工控、高端消费、AI规模的功率管制、功率驱动、传感信号链等方面焦点芯片及模组。

  1、功率管制方面,公司结构了“8 英寸硅基+12 英寸硅基+化合物”等众条产线,产物遮盖IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN等芯片和模组,产能遮盖中高端功率半导体。跟着12英寸硅基产线寸碳化硅产线继续放量,本钱上风与技能优秀性将进一步凸显,激动公司正在汽车、AI、高端消费、工控等规模的永久、急迅伸长。

  2、功率IC方面,公司结构高电压、大电流和高密度三大宗旨,供给完备的车规级晶圆代工任职。下一代集成更众智能数字的优秀BCD工艺平台连接开辟中,以知足客户使用正在音频、数字电源和和议芯片等数模同化产物的需求。同时,针对目前仍然成熟量产的0.18um BCD40V/60V/120V平台工艺连接优化,助力客户继续晋升产物本能并低落本钱,知足各种驱动、电源办理、接口和AFE等产物的代工需求。BCD SOI工艺,众个客户产物导入,使用于车载BMS AFE(电池办理编制芯片)。数模同化的集成单芯片工艺平台BCD 60V/120V BCD+eflash,知足车规G0圭臬,众个客户产物验证实行并进入量产,配合新能源汽车和工业4.0的集成SoC计划,供给高牢靠性和更具本钱上风的工艺计划。55纳米MCU平台(嵌入式闪存工艺)开辟实行,知足车规G1的高牢靠性央求,使用于物联网MCU和安详芯片。同时具有本钱上风的下一代踊跃开辟中。

  3、传感信号链方面,众家客户已量产。公司代工的硅麦克风、激光雷达中的振镜、压力传感等,助力新能源及智能化财富发达。此中使用于高端消费、新能源汽车的第三代麦克风进入大宗量量产,第四代双振膜麦克风安排迭代中;车载运动传感器进入批量出产阶段,消费类众轴传感器实行送样,估计下半年进入小批量试产验证;车载激光雷达扫描镜验证实行,进入小批量试产验证。同时,MEMS麦克风芯片已大宗使用于AI语音识别,如AI眼镜等;使用于高本能语音交互的第五代麦克风正正在研发中;用于 AI 数据传输芯片验证迭代中,估计下半年进入小批量试产验证。

  公司正在晶圆代工形式的基本上,继续吸取市集需求的变更,通过正在横向维度上打制遮盖安排 任职、晶圆缔制、模组封装、使用验证、牢靠性测试闭节的一站式芯片编制代工任职体例,正在纵向维度上知足席卷功率器件、功率 IC、MCU、模组正在内的由点到面的代工需求。

  公司的一站式芯片编制代工形式整合了从安排任职、芯片缔制、模组封装、使用验证到牢靠性测试全方位任职,为分别类型的客户供给更为高效、活泼、牢靠的合座管理计划。公司通过深度配合客户产物开辟流程、各闭节协同优化,助助客户晋升产物牢靠性与本能、低落归纳本钱、缩短产物上市周期,与客户修筑造成永久互助伙伴相干。

  公司连接优化和晋升筹备政策,继续足够和升级筹备形式,进一步晋升公司与客户之间互助格式的活泼性和众样性,增添公司与客户互助的黏性。

  上半年,公司连接阐扬一站式芯片编制代工形式的上风,聚焦重心客户的焦点需求,收拢邦产芯片导入时候窗口,同时强化研发力度,继续推出稀缺工艺技能平台,晋升了公司的焦点竞赛力。

  (一)红利才干安闲向好,归母净利同比减亏63.82%,初次实行单季度归母净利润转正 2025年上半年,公司归属于母公司一切者的净利润同比减亏63.82%,此中二季度归母净利润0.12亿元,初次实行单季度转正;毛利率3.54%,同比伸长7.79个百分点;息税折旧摊销前利润(EBITDA)11.01亿元,息税折旧摊销前利润率31.51%。

  陈述期内,公司实行主营收入 34.57 亿元,较上年同期伸长 24.93%。收入范围的急迅扩张,直接晋升了公司的范围效应,摊薄产物的固定本钱。同时公司完全推广本钱优化及结果晋升程序,连接改进工艺流程与质料使用,低落基本工艺平台的本钱组织;深度发现并阐扬供应链的战术协同价格,获取更具竞赛力和更优质的供应任职保护;继续优化量产产物的出产构制与功课流程,厉苛管控物料利用,晋升合座出产结果;执行精采化办理形式,深植本钱管制理念,造成自上而 下、全员参预的本钱节省气氛。 跟着公司固定资产折旧等固定本钱的渐渐清除及稳定的资产参加,将进一步减轻产物的本钱 承当,直接转化为安闲的毛利率水准,从而晋升公司的红利才干,为公司另日的财政浮现和市集 竞赛力带来踊跃影响。 (二)四大使用规模同步发力,上半年主营收入同比伸长25% 2025年上半年,焦点生意正在战术宗旨上的精准发力,从产物线结构、市集遮盖、客户相干等 众个维度的编制性市集拓展,对公司事迹的晋升造成了强劲的驱动力。同时,公司加快海外市集 结构,已获胜导入众个消费类、绿色出行类客户项目。 公司将车载、工控、消费动作收入高伸长潜力规模,同时将AI动作要紧战术规模。公司正在主 营收入的伸长,源于公司正在四大使用规模的协同激动、同步拓展与深化。 陈述期内,公司实行车载规模收入同比伸长23%;工控规模收入同比伸长35%;消费规模收入 同比伸长2%。公司车载、工控、消费规模的收入占比分歧为47%、19%、28%。 同时,公司将AI任职器、数据核心、具身智能、智能驾驶等新兴使用规模动作公司第四大核 心市集宗旨。上半年AI规模功勋营收1.96亿元,营收占比达6%,为公司正在新一轮市集中攻陷了 领先的身分,为收入的可连接伸长注入新的生机。 (三)“芯片编制代工”贸易形式立异成效大白,模组封装生意同比伸长超100% 动作半导体财富界的立异科技公司,公司“一站式芯片编制代工”的筹备形式已获取市集和 客户的认同。公司供给从安排任职、晶圆缔制并延长到模组封装、牢靠性测试和使用验证等的一 站式芯片编制代工任职,既能直面市集需求、锐利感知市集宗旨,又能为终端客户供给模块化的 产物及任职。 陈述期内,跟着与终端客户的互助深度和粘性的继续强化,公司车载功率模组批量交付,光 伏、储能模块安闲大范围量产等,公司模组封装生意直接功勋生意收入同比伸长超100%。此中车 规功率模块收入伸长超200%。 (四)产物研发与市集拓展继续实行新的冲破,深度结构人工智能(AI)使用规模 车载规模,公司6英寸SiC MOSFET新增项目定点超10个,新增了5家进入量产阶段的汽车客户;邦内首条8英寸SiC产线已实行批量量产,闭头本能目标业界领先;汽车生意从单器件衍生渐渐晋升到编制管理计划,为动力域、底盘域等五大规模供给一站式芯片编制代工管理计划,上半年,已导入客户10余家,遮盖众个财富头部企业,部门客户将于2025年下半年实行量产。

  AI规模,(1)AI任职器、数据核心等使用宗旨:数据传输芯片进入量产;揭晓了第二代高结果数据核心专用电源办理芯片缔制平台,获取闭头客户导入;使用于 AI任职器和 AI加快卡的电源办理芯片已实行大范围量产;中邦首个 55nm BCD集成 DrMOS芯片通过客户验证。(2)具身智能及其他:大范围使用于语音交互、姿势识别、运动捉拿、刻板手抓取与操作、境遇感知、导航定位等场景,AI眼镜用麦克风芯片、呆板人用激光雷达芯片实行冲破。(3)智能驾驶使用宗旨,完全扩展 MEMS代工任职正在车载宗旨的使用,如 ADAS智能驾驶的惯导、激光雷达 VCSEL、微镜芯片、压力传感器以及智能座舱语音识别麦克风芯片等。

  消费规模,新一代高本能MEMS麦克风研发平台搭修实行,已实行产物送样,填充了邦内技能 空缺;高端手机、可穿着电子产物、笔电等闭系技能平台实行完全扩展;IPM平台产物实行空妥洽 洗衣机使用产物遮盖;PIM平台代工产物渐渐进入商用空调规模。 工控规模,开辟了行业定制芯片,引颈组串式光储功率市集;全新封装的工业变频模组进入 量产阶段,助助客户晋升编制牢靠性和性价比,模组中采用公司自研微沟槽场截止技能芯片;修 立了完备的得意储产物系列,并实行头部客户送样定点。

  (五)重组事项获注册照准,加快公司深度整合,助力碳化硅生意的急迅发达 为保护可连接发达的竞赛力,公司通过收购控股子公司少数股权,实行对子公司的全资控股,聚集上风资源重心声援 SiC MOSFET等更高技能产物和生意的发达,加强焦点竞赛力。同时进一步管控整合8英寸硅基产能,充足阐扬协同效应,深化公司正在芯片编制代工规模的结构。

  2025年7月18日,公司收到中邦证券监视办理委员会出具的《闭于许可芯联集成电途缔制股份有限公司发行股份采办资产注册的批复》,加快激动公司深度整合的过程,也将助力碳化硅生意的急迅发达。

  2025年上半年,公司向中高层办理职员、焦点技能(生意)骨干等合适预留授予前提的354名胀励对象授予2,291.60万股第二类局限性股票。

  公司股权胀励安插的踊跃发扬,是公司人才战术和永久胀励体例获胜运转的有力说明。不光有用保存和胀励了焦点骨干气力,巩固了团队的凝固力和战役力,也为公司另日的连接立异和高质料发达奠定了坚实的人才基本。

  陈述期内公司筹备情形的强大变更,以及陈述期内产生的对公司筹备情形有强大影响和估计另日会有强大影响的事项

  公司为客户供给从安排任职、晶圆缔制、模组封装、使用验证到牢靠性测试的一站式芯片和模组的代工任职,高效整合缔制端与封测端的上风,确凿管理芯片代工缔制中的诸众痛点,有用晋升了产物的安详性与牢靠性,大幅缩短了产物从缔制到封装测试的周期,确保产物交付的准时性,也让终端客户的负担划分越发了解,明显低落客户的显性和隐性本钱。

  同时,借助一站式芯片编制代工任职的形式,公司继续拓宽客户品种。除古板的安排公司外,公司也与诸众终端主机厂和编制公司举办了深度互助,实行了足够、有纵深的客户结构。

  公司保持自决研发,从功率、MEMS、BCD、MCU四大抵紧技能宗旨动身,连接研发使用于AI、新能源汽车、工业管制、高端消费规模所需求产物上的优秀工艺及技能,为客户供给众样化的晶圆代工和封装测试等编制计划。

  公司继续操纵自己技能上风,连接开辟产物附加值较高的技能平台并加大使用推论。陈述期内,公司强化AI新兴使用规模的研发和工艺平台的开辟,开辟使用于AI任职器电源、数据核心、呆板人等闭系产物,并已获取强大冲破。

  同时,正在模组方面,公司产物系列完备,渊博使用于新能源汽车、光伏风电、智能电网及其他变频规模,和邦外里优秀终端周密连接,技能水准继续晋升。跟着终端市集的急迅发达和行业技能的迭代更新,公司产物组织继续升级,产物品种急迅拓展,生意生态形式也越发活泼。

  公司保持自决研发的途径,珍视研发体例修筑,正在“市集+技能”双轮驱动的发达战术下,连接研发优秀的工艺及技能,供给众样化的晶圆代工和封装测试等编制代工计划。

  公司会聚了一支技能能力浓密、体验足够的研发团队,此中团队焦点成员均是熟行业内深耕数十年的资深研发技能职员,其专业才干和立异才干,为公司带来了源源继续的技能冲破和立异发达,成为了公司连接先进和行业领先的要紧保障。

  公司连接仍旧高额的研发参加,踊跃激动科技立异,尽力推动成绩转化。陈述期内,公司研发参加9.64亿元,占生意收入27.59%。

  公司订定并推行了合适车规级圭臬的供应商办理准入体例,构修了供应商绩效评估体例,从而正在统统供应商性命周期内,席卷质料厘正、市集份额分拨、以及起落级轨制等方面,实行了完全的供应商办理。

  公司秉持对供应链众元化和邦外里双轮回机制构修的高度珍视,已正在闭头生意规模与邦外里主流供应商修树了周密的战术互助相干,配合应对市集变更和政策调治,确保公司可以永久稳当发达。公司通过继续促进直接质料和闭头零部件的众元化项目,其众元化比例已处于邦内领先水准。别的,通过与焦点战术供应商的深度合作,公司获取了高优先级的任职和具有本钱竞赛力的永久互助计划,为公司的连接发达供给了坚实保护。

  公司是目前邦内少数供给车规级芯片代工的企业之一。车规级芯局部临着庞大的利用境遇和使用工况,对产物的安详性、牢靠性、外部境遇兼容性、利用寿命等方面的央求比拟工业级和消费级芯片更为厉苛。于是,车规级芯片缔制门槛高,财富化周期长,极其检验代工场的技能研发才干和质料办理才干。公司的车规级灵敏工场正在升高出产结果、保障产物格料以及低落运营本钱方面阐扬着要紧的功用。

  公司已攻下各样牢靠性、安详性的技能困难,修树了从研发到大范围量产的全流程车规级质料办理体例,通过了ISO9001(质料办理体例)、IATF16949(汽车质料办理体例)等一系各邦际质料办理体例认证,以及ISO26262(道途车辆功用安具体例)体例认证。公司的车规级工场遵命厉苛的质料办理体例圭臬,并引入 AI 辅助缺陷推断等优秀的质料办理东西和技巧进一步晋升质料水准,提防潜正在的质料危险。通过深化全流程质料办理,产物格料具有优异的安闲性和牢靠性,从而获取更众客户定点。

  (二) 陈述期内产生的导致公司焦点竞赛力受到要紧影响的事变、影响判辨及应对程序 □实用 √不实用

  公司确立了功率、MEMS、BCD、MCU四大抵紧技能宗旨,正在新能源汽车,得意储,电网和水利工程、数据核心等新基修项目,高端消费规模所需求的产物上,连接研发优秀的工艺及技能。

  公司产物宗旨要紧席卷 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 、BCD为主的功率半导体,MEMS为主的传感信号链,以及功率闭系的模组封装等。公司保持走焦点技能自决研发的道途,以探索极致产物本能为标的。焦点技能及其优秀性如下:

  1) 遮盖主流第4代-第7代IGBT技能代系,全电压局限 650V~6500V 2) 使用于车载、家电及工业新能源、工控等市集 3) 超高压器件

  1) 芯片技能优秀且完全,遮盖电池办理,功率电源、汽 车电子等市集 2) 低RSP,低导通电阻、低开闭损耗等本能,实行高功 率密度,高结果和高牢靠性价格 3) 声援客制化集成

  1)渊博使用于车载主驱大功率逆变模组 2)量产平台的高良品率、卓越的参数一概性 3)低RSP,低导通电阻、低开闭损耗等本能,实行高功 率密度,高结果和高牢靠性价格 4) 优异的器件高短途才干 5) 声援众样金属膜层,知足分别封装需求

  利用优秀的封装技能升高产物牢靠性、模块能量损耗低 、散热才干强、高功率密度、适合高温高湿等阴毒境遇

  1) 遮盖 0.35um-0.18μm 的技能节点车规G0高压平台 2) 声援超局面限的事务电压 5V-650V 3) 邦内稀缺的深沟槽分隔优秀技能

  1) 技能立异,优异的过电流才干和急迅开闭才干,满 足高算力任职器使用 2) 具有竞赛力的器件面积,降本上风显着,知足客户 差别化产物需求 3) 高牢靠性

  1) SoC的高压BCD工艺平台,实行编制集成 2) 高牢靠性车规G0高压平台

  1) 驱动+开闭单芯片集成技能平台,优化本钱,简化系 统计划 2) 供给更好的电途维持和滞碍检测功用

  车规G0数模和管制集成的工艺模仿工艺连接环球公认的 高本能高牢靠性闪存

  1)信噪比遮盖58dB~72dB 2)使用遮盖完全,包蕴邦外里高端手机、TWS耳机、消 费类电子以及车载麦克风等使用

  1) 具备完备的工艺平台,包蕴加快率计、陀螺仪、以 及IMU 2) 产物要紧使用于消费类手机、TWS耳机,工业级以及 车载惯性导航、底盘管制、气囊等规模

  1) 具备完备的工艺平台,知足分别量程的压力传感器 2) 使用遮盖完全,车载使用渊博,如油压、尾气检测 等

  1) 平台成熟完备,工艺声援各样分别尺寸的扫描镜 2) 使用于车载激光雷达,工业级使用、数据核心光模 块等规模

  1) GaAs基VCSEL激光器工艺平整 2) 使用规模渊博,如消费类电子、扫地呆板人、车 载激光雷达、数据核心光模块等

  2025 年上半年,公司一直加大研发参加,引进高端技能人才,继续举办技能迭代,正在功率、MEMS、BCD、MCU四大抵紧技能宗旨连接赢得强大冲破,市集使用规模继续拓展。

  功率器件规模,优秀 SiC芯片及模块范围量产,工艺平台实行了 650V到 3300V系列的完全结构,控制焦点优秀缔制工艺,产物闭头目标均处于邦内领先水准,局面限获取邦外里主流车厂和 Tier1的定点,邦内首条 8英寸 SiC产线已量产;新一代 IGBT产物,闭头本能目标业界领先,优越的性价比助推公司进一步增加市集占据率。

  车载模仿 IC规模,已推轶群个邦内领先、环球优秀的技能平台,填充了邦内高压大功率数字模仿同化信号集成 IC的空缺;高边智能开闭芯片缔制平台正在客户端实行产物验证,同时正正在开辟下一代;高压 BCD SOI集成计划工艺平台获取要紧车企定点。

  AI 任职器、数据核心等使用宗旨:AI 任职器电源用的功率器件以及数据传输芯片已进入小范围试产;使用于 AI任职器和 AI加快卡的电源办理芯片已实行大范围量产;中邦首个 55nm BCD集成 DrMOS 芯片通过客户验证,可实行更高密度电源办理计划,知足大电流开闭;揭晓了第二代高结果数据核心专用电源办理芯片缔制平台,获取闭头客户导入。

  具身智能及其他:大范围使用于语音交互、姿势识别、运动捉拿、刻板手抓取与操作、境遇感知、导航定位等渊博场景,AI眼镜用麦克风芯片、呆板人用激光雷达芯片实行冲破。

  智能驾驶使用宗旨,完全扩展 MEMS代工任职正在车载宗旨的使用,如 ADAS 智能驾驶的惯导、激光雷达 VCSEL、微镜芯片、压力传感器以及智能座舱语音识别麦克风芯片等。

  手机以及可穿着使用宗旨:公司传感器和锂电池维持芯片产物仍然攻陷市集和技能领先处所,推出了高本能麦克风平台和新一代锂电池维持芯片平台;同时推出使用于消费规模的低压 40V BCD以及数模同化技能平台,实行范围量产,产物进入众个手机终端使用。

  家电使用规模:公司推出智能功率模块(IPM)、PIM功率模组、各种单管等全系列空冰洗厨编制管理计划,已获胜正在家电客户大宗量供货;公司提前结构 SiC和 GaN等级三代半导体正在家电规模使用,为客户定制能效升级应对计划;通过连接技能升级和产物迭代,公司市集占据率大幅晋升。

  公司面向大功率光伏和储能电站市集,已率先推出新一代利用高压碳化硅芯片的三电平功率模块,引颈行业宗旨。

  面向风电等大功率高牢靠性的使用,推出新一代高结温,高压,高牢靠性优秀产物,与要紧风电客户连续开展互助。

  面向古板工业变频市集,继续加大工业变频功率产物系列市集推论力度,推出利用最新一代IGBT芯片的全新封装产物,新型工业变频模块系列进入量产试产。

  高压输配电和高压 SVG方面,4500V IGBT获胜挂网使用,实行量产,声援配合水利工程等大基修项主意输配电和 SVG的配套修筑。

  工艺到达邦际领先水准,实行 范围量产 第二代优秀节点工 艺开辟,晋升客户产物竞赛力

  使用于数模同化IC席卷音频、 数字电源、DCDC、和议芯片和 电源办理芯片

  180纳米中高压车规BCD45V-120V大范围 量产;本能晋升的下一代工艺平台开辟中

  下一代SiC沟槽栅平台平台修筑,基于 750V/1200V分别电压平台产物,产物实行 本能测试

  新一代沟槽型场截止IGBT技能实行开辟, 650V~1700V完全导入,并实行大范围量 产,器件本能到达邦际领先水准。

  芯片正在电压650V到1,700V系 列,电流150A到500A系列的 全系列量产,本能到达邦际领 先水准

  单面塑封车载模块实行IGBT 和SIC模块量产,知足客户高 本能高牢靠性的需求

  新一代紧凑型高本能灌封模块实行客户导 入和量产,产物遮盖70KW 到200KW主流 功率段

  车规G0 180纳米BCD嵌入式闪存工艺平台 众个客户导入,产物验证实行并进入量产

  供给低功耗、高本能及高牢靠 性的车规MCU工艺平台,本能 晋升和降本计划连接开辟

  8英寸SiC MOSFET平成模组牢靠性验 证,通过客户的整机验证

  实行8英寸量产,本能到达邦 际同类厂商水准,实行高本能 和低本钱的芯片实行验证

  使用于消费LED、充电桩、任职 器、光伏、车载等的高牢靠 性、高本能超结MOSFET芯片